合作伙伴：河南某半導體材料廠

儀器類型：電感耦合等離子體光譜儀

品牌：賽默飛

型號：iCAP PRO DUO ICP-OES

2025年09月15日，熱烈祝賀河南某半導體材料廠引進我司賽默飛iCAP PRO DUO ICP設備，現已圓滿完成安裝、培訓與調試！感謝貴廠對賽默飛產品的信任與支持。未來我們將持續提供高效、精準的分析解決方案，助力貴廠在半導體材料領域精益求精！

賽默飛iCAP PRO DUO ICP-OES設備在半導體材料檢測中具備以下關鍵能力與應用場景：

1. 耐氫氟酸進樣系統，適配硅基材料

配備耐氫氟酸（HF）的進樣系統（如陶瓷炬管、PTFE霧化室），可直接分析含HF的半導體樣品（如硅粉、晶圓清洗液），避免傳統石英部件的腐蝕問題。

示例：對工業硅中的磷、硼、鈣、鐵等雜質元素進行快速測定，滿足高純度要求。

2. 雙觀測模式（軸向/徑向）提升靈敏度

水平與垂直雙觀測模式可靈活切換，軸向模式提供高靈敏度（適合痕量元素），徑向模式抗基體干擾（適合高濃度樣品），適配半導體中不同含量范圍的雜質分析。

3. 符合半導體行業超痕量檢測標準

檢出限低至ppb級，滿足SEMI標準對高純試劑（如硫酸、氫氟酸）中超痕量金屬雜質（如Na、K、Fe）的管控要求，保障晶圓良率。

應用案例：檢測電子級NMP（光刻膠溶劑）中的ppt級金屬離子，通過優化等離子體條件（如冷等離子體模式）消除碳氮基體干擾。

4. 高效基體處理與穩定性

采用陶瓷炬管（如D-Torch）和藍寶石中心管，耐高溫基體（如SiC、GaN），減少維護頻率，適合長時間運行產線監控。

固態CID檢測器防溢出設計，避免高基體樣品（如硅片清洗液）的信號飽和，確保數據準確性。

5. 全流程半導體材料覆蓋

前道工藝：硅錠/晶圓表面雜質（VPD-ICP聯用法）、外延層成分分析。

后道工藝：封裝材料（如濺射靶材）、高純試劑（雙氧水、氨水）的質控。

環保監測：廢水中的痕量金屬（如Cu、Zn）合規性檢測。

6. 技術對比優勢

相比單四極桿ICP-MS，iCAP PRO DUO在復雜基體（如高硅含量）中穩定性更優，且運行成本更低，適合常規QC場景；而ICP-MS（如iCAP TQs）更適用于超痕量（ppt級）或需消除多原子干擾的科研級分析。

總結：該設備通過硬件耐腐設計、雙觀測模式及低檢出限，精準覆蓋半導體材料從原材料到成品的雜質監控需求，尤其擅長硅基體及氫氟酸體系的分析，是半導體行業質量控制與工藝優化的可靠工具。